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| 内存 |
| 2008-2-28 18:05:36 点击次数： |
为了能让电脑发挥出最大的效能，内存作为个人电脑硬件的必要组成部分之一，它的地位越发重要起来。在现在看来，内存的容量与性能已成为决定微机整体性能的一个决定性因素，因此为了提高个人电脑的整体性能，给你的电脑足够的内存就成为问题关键所在。SiSoft Sandra 2001用于内存的评测，而我们对内存的评测主要是测试内存的兼容性、标准工作频率下的性能及超频能力等。（这里，我们讲述SDRAM内存）
1.时钟周期
它代表SDRAM所能运行的最大频率。显然这个数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC100 SDRAM来说，它芯片上的标识-10代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外频下正常工作。
2.存取时间
目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。这可不同于系统时钟频率，它们二者之间是有着本质的区别。比如一种LG的PC100 SDRAM，它芯片上的标识为“-7J”或“-7K”，这代表了它的存取时间为7ns。而许多人都把这个存取时间当作它的时钟频率，其实它的系统时钟频率依然是10ns，外频为100MHz。
3.CAS的延迟时间
CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。比如现在大多数的SDRAM（在外频为100MHz时）都能运行在CAS Latency Time（CAS的等待时间）等于2或3的模式下，也就是说这时它们读取数据的延迟时间可以是二个时钟周期也可以是三个时钟周期（当然在延迟时间为二个时钟周期时，SDRAM会有更高的效能）。在SDRAM的制造过程中，可以将这个特性写入SDRAM的SPD芯片中，在开机时主板的BIOS就会检查此项内容，并以SPD中的默认模式运行。
4.综合性能的评价
对于PC100内存来说，就是要求当CL=3的时候，tCK （System clock cycle time）的数值要小于10ns、tAC（Access time from CLK）要小于6ns。CL=3时，对于同一个内存条当设置成不同CL数值时，tCK的值是很可能不相同的，当然tAC的值也是不太可能相同的。关于总延迟时间的计算一般用这个公式：总延迟时间=系统时钟周期×CL（CAS Latency）模式数+存取时间，比如某PC100内存的存取时间为6ns，我们设定CL模式数为2（即CAS Latency=2），则总延迟时间=10ns×2+6ns=26ns。这就是评价内存性能高低的重要数值。
5.PC100 SDRAM规范
内存条上电路的各部分线长最大值与最小值；电路线宽与间距的精确规格；保证6层PCB板制作（分别为：信号层、电源层、信号层、基层、信号层），具备完整的电源层与地线层；具备每层电路板间距离的详细规格；精确符合发送、载入、终止等请求的时间；详细的EEPROM编程规格；详细的SDRAM组成规格；特殊的标记要求；电磁干扰抑制；可选镀金印刷电路板。
6.PC133规范
它进一步要求tAC不超过5.4ns、tCK不超过7.5ns（对于PC100，这两项都是10ns）、稳定的工作频率为133MHz，所以对于PC133 SDRAM，若没有特别标明，大都是指CAS Latency=3，如果在CL设为2、跑133MHz的外频时发生错误，就不要认为这条内存有问题，因为PC133的规范并不保证CL一定要等于2，所以能不能在150MHz（CL=3）下稳定运行，也是不确定的。
综合评价，目前一条性能优良的SDRAM内存条应具备PC133规范，即6层PCB板制作、tAC不超过5.4ns、tCK不超过7.5ns、稳定的工作频率为133MHz。而首选的内存品牌有：KingMax、金邦金条、HY（LG）、三星、威刚等品牌。 |
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